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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]集成组合件-CN202110521384.1在审
发明人： S·J·德尔纳;C·J·卡瓦姆拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本申请案涉及集成组合件。一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件具有与驱动器电路耦合的第一字线和第二字线。
集成组合

[发明专利]集成组合件-CN202111041557.6在审
发明人： A·P·埃皮希 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请涉及集成组合件。一些实施例包含具有一组真实数字线和一组互补数字线的集成组合件。所述互补数字线中的每一个与所述真实数字线中的相关联的一个相对耦合。半导体衬底在所述真实数字线下方。
集成组合

[发明专利]集成组合件-CN202111484253.7在审
发明人：何源;李继云 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G11C11/4091 文献下载
摘要：一些实施例包含具有在基底上方的存储器阵列的集成组合件。所述存储器阵列包含存储器单元的三维布置。感测放大器与所述基底相关联且在所述存储器阵列正下方。一些实施例包含具有存储器存储体的集成组合件，所述存储器存储体含有布置成16x4配置的64个存储器数据块。一些实施例包含具有存储器存储体的集成组合件，所述存储器存储体含有在64个存储器数据块之间划分的512兆字节，每个存储器数据块具有8兆字节。
集成组合

[发明专利]集成组合件-CN202180052008.0在审
发明人： S·普卢居尔塔;杨立涛;刘海涛;K·M·考尔道 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一些实施例包含集成存储器。所述集成存储器包含第一系列的第一导电结构和第二系列的导电结构。所述第一导电结构沿着第一方向延伸。所述第二导电结构沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸。
集成组合

[发明专利]集成组合件-CN201910480155.2有效
发明人： S·J·德尔纳;C·L·英戈尔斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本申请涉及包括垂直堆叠式存储器阵列层及折叠式数字线连接的集成组合件。一些实施例包含具有含感测放大器电路的基底的集成组合件。第一层在所述基底之上，且包含第一存储器单元的第一阵列。
集成组合

[发明专利]具有铁电晶体管的集成组合件及形成集成组合件的方法-CN201910380635.1在审
发明人： K·M·卡尔达;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L27/11585 文献下载
摘要：本发明涉及具有铁电晶体管的集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含集成组合件，其在第一比较数字线与第二比较数字线之间具有铁电晶体管主体区域。一些实施例包含具有在载流子储层结构之上的导电结构的集成组合件。所述导电结构的底部通过绝缘区域与所述载流子储层结构间隔。铁电晶体管在所述导电结构之上。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合件铁电晶体管载流子导电结构层结构数字线主体区域绝缘区域耦合延伸部传递

[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN202010273027.3在审
发明人： J·D·格林利;T·D·阮;J·M·梅尔德里姆;A·K·保谢尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有位于导电基底结构上方的绝缘质量块的集成组合件。导电互连件穿过所述绝缘质量块延伸到所述导电基底结构的上部表面。所述导电互连件包含围绕所述互连件的外横向周边延伸的导电衬里。所述导电衬里包含氮与第一金属的组合。所述导电衬里横向环绕容器形导电结构。所述容器形导电结构包含第二金属。导电插塞位于所述容器形导电结构内。一些实施例包含在集成组合件内形成导电互连件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN201811545021.6在审
发明人： K·R·帕雷克;J·B·德胡特;N·M·洛梅利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有从导电结构向上延伸的沟道材料结构的组合件。锚固结构从所述沟道材料结构横向偏移且穿透到所述导电结构中达足以对所述组合件的至少一部分提供机械稳定性的深度。所述导电结构可包含位于第二导电材料上方的第一导电材料，且可为三维NAND配置的源极线。一些实施例包含形成具有沟道材料结构及锚固结构的组合件的方法。
集成组合件导电结构沟道材料组合件导电材料锚固结构机械稳定性结构横向向上延伸配置的申请案源极线偏移穿透三维

[发明专利]集成组合件以及形成集成组合件的方法-CN201910602219.1在审
发明人：库纳尔·R·帕雷克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请案涉及集成组合件以及形成集成组合件的方法。一些实施例包含具有导电结构的集成组合件，所述导电结构包含在含金属材料上方的半导体材料。交替的导电层级及绝缘层级的堆叠位于所述导电结构上方。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合件导电结构半导体材料拐角区域层级堆叠分区含金属材料延伸穿过壁区域交替的申请案所述壁导电个壁绝缘相交延伸

[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN201910912837.6在审
发明人： A·努尔巴赫什;J·K·查胡瑞;S·D·唐;S·博尔萨里;李红 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件具有沿着第一方向延伸的数字线及位于所述数字线上方的轨道。所述轨道包含与中介绝缘区相交替的半导体材料柱。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN202011039795.9在审
发明人： N·考希克;F·A·席赛克-艾吉;D·C·潘迪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含集成组合件，所述集成组合件具有存储器阵列且具有沿着第一方向延伸穿过所述存储器阵列的数字线。绝缘间隔件沿着所述数字线的侧壁。所述绝缘间隔件沿着所述数字线连续地延伸穿过所述存储器阵列。导电区域通过介入区域与所述数字线横向地间隔开。所述导电区域被配置为沿着所述第一方向彼此间隔开的分段。所述介入区域包含所述绝缘间隔件的区域且包含邻近所述绝缘间隔件的所述区域的空隙区域。所述空隙区域被配置为沿着所述第一方向通过绝缘结构彼此间隔开的空隙区域分段。存储元件与所述导电区域相关联。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法-CN202110230783.2在审
发明人：罗双强 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：本申请涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件具有存储器阵列区域，所述存储器阵列区域包含延伸穿过交替的导电层和绝缘层的堆叠的沟道材料柱。导电扩展件位于所述存储器阵列区域内并且与所述沟道材料柱的沟道材料电耦接。面板跨所述存储器阵列区域和所述第二区域延伸。所述面板将一个存储器块区域与另一个存储器块区域分离。所述面板具有位于所述导电扩展件之上的第一部分并且具有邻近所述第一部分的第二部分。所述面板具有底部表面。所述底部表面的第一区段邻近所述导电扩展件的上表面。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]集成组合件以及形成集成组合件的方法-CN202110494767.4在审
发明人： A·N·斯卡伯勒;J·D·霍普金斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请案涉及集成组合件以及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种其中形成交替的第一和第二级的第一堆叠的方法。所述第一和第二级中的至少一些被配置成台阶。一些实施例包含集成组合件。
集成组合以及形成方法

[发明专利]集成组合件和形成集成组合件的方法-CN202110453113.7在审
发明人： A·M·洛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及集成组合件和用于形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有包括半导体材料的有源区的集成晶体管。所述集成晶体管可并入到例如DRAM、FeFET存储器等集成存储器中。一些实施例包含形成例如集成晶体管、集成存储器等集成组合件和装置的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN202080043935.1在审
发明人： G·A·哈勒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。在导电结构上形成第一堆叠。所述第一堆叠包含第一层与第三层之间的第二层。所述第一层及所述第三层是导电的。形成穿过所述第一堆叠的第一开口。一些实施例包含集成组合件。
集成组合形成方法

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